6ES7 214-1AD23-0XB0

6ES7 214-1BD23-0XB0

電源電壓

24 V DC

√

允許范圍，下限 (DC)

20.4 V

允許范圍，上限 (DC)

28.8 V

120 V AC

√

230 V AC

√

電源頻率

63 Hz

負載電壓 L+

24 V

24 V

20.4 V

5 V

28.8 V

30 V

負載電壓L1

100 V; 100 至 230 V AC

5 V

250 V

47 Hz

63 Hz

輸入電流

突波電流**大

28.8 V 時 12 A

264 V 時 20 A

從電源L+ 供電**大

700 mA; 110 - 700 mA,擴展模塊輸出電流(5 VDC) 660 mA

從電源L1供電**大

200 mA; 30 - 100 mA (240 V); 60 - 200 mA (120 V); 擴展模塊輸出電流 (5 VDC) 600 mA

編碼器電源

24 V 編碼器電源

√；允許范圍：15.4 至 28.8 V

√；允許范圍：20.4 至 28.8 V

√; 280 mA 時電子式

√; 280 mA 時電子式

280 mA

280 mA

備用電池

電池運行

100 小時；（40 ℃ 時**短 70 小時）；帶有可選電池模塊時，200 天（典型值）

100 小時；（40 ℃ 時**短 70 小時）；帶有可選電池模塊時，200 天（典型值）

存儲器

存儲模塊數量(選件)

1，可插入存儲模塊，內容存儲在內置的EEPROM中，此外還可以存儲配方、數據記錄和其他文件。

1，可插入存儲模塊，內容存儲在內置的EEPROM中，此外還可以存儲配方、數據記錄和其他文件。

數據和程序存儲器

8 kbyte

8 kbyte

12 KB；8 KB 用于運行時編輯

12 KB；8 KB 用于運行時編輯

后備

√；程序：集成 EEPROM 上的整個程序免維護，可通過 CPU 編程；數據：集成 EEPROM 上從編程器/PC 加載的整個 DB 1 免維護，RAM 中 DB 1 的電流值，通過高性能電容器，非易失性內存位、計時器、計數器等免維護；可選電池，用于長期緩沖

√；程序：集成 EEPROM 上的整個程序免維護，可通過 CPU 編程；數據：集成 EEPROM 上從編程器/PC 加載的整個 DB 1 免維護，RAM 中 DB 1 的電流值，通過高性能電容器，非易失性內存位、計時器、計數器等免維護；可選電池，用于長期緩沖

CPU 處理時間

位指令**大

0.22 μs

0.22 μs